氧化物單晶生長(zhǎng)爐
可用于“第四代”半導(dǎo)體單晶材料，氧化鎵Ga2O3等氧化物材料晶圓的生長(zhǎng)制造。
臥式管狀加熱爐
主要應(yīng)用在半導(dǎo)體晶體材料的生長(zhǎng)工藝過(guò)程中，對(duì)石英坩堝內(nèi)壁鍍碳處理，能夠有效阻隔高溫溶體與石英坩堝的反應(yīng)，有利于完整、高質(zhì)量單晶體的生產(chǎn)。
VTM碲鋅鎘單晶體生長(zhǎng)爐
碲鋅鎘單晶爐是依據(jù)我公司自主研發(fā)的VTM工藝方法所設(shè)計(jì)的新型單晶工藝設(shè)備, 設(shè)備由加熱系統(tǒng)、運(yùn)動(dòng)系統(tǒng)支撐機(jī)構(gòu)、電控系統(tǒng)四部分組成，適用碲鋅鎘、碲化鎘、銻化鎵等多種化合物半導(dǎo)材料的單晶生長(zhǎng)。
